Bernstein Research 先前痛批三星电子心狠手辣,意图在记忆体界赶尽杀绝,刬除 SK 海力士(SK Hynix)、美光(Micron),剩下一家独大。对此,Brean Capital 看法不同,Brean Capital 较为乐观,认为业者为了追求利润,DRAM 和 NAND Flash 产出不致失控;并指出智慧手机的记忆体需求大增,价格将逐渐回稳。
霸荣(Barronˋs)网站、韩媒 etnews 报导,Brean Capital 的 Mike Burton 表示,英特尔的大连工厂改为 3D NAND Flash 厂,预定今年下半投产。由于三星已经开始生产 3D NAND,其他业者也陆续跟进,不少人担心可能会供给过剩。Burton 认为,各厂应会有所节制,携手追求最大利润。
Burton 并指出,目前只有三星有能力製造 3D NAND,其他业者要到今年下半才开始生产。3D NAND 採用较旧製程(35~50 奈米),业者能以较低成本提高产能。英特尔主管 David Lundell 表示,预计大连厂会在今年底量产 3D NAND。
DRAM 方面,Burton 预期需求飙升,价格将逐渐稳定。举例而言,苹果 iPhone 6s 内建 DRAM 加倍,增至 2GB,iPad Pro 记忆体也增至 4GB。高阶 Android 机种记忆体达 3GB,三星 S7 更内建 4GB DRAM。
美光 15 日上涨 2.79% 收在 10.69 美元,不过今年迄今仍大跌 24.51%。