SK 海力士续砸钱,料冲 NAND flash 产能



DRAM 钱难赚,南韩记忆体大厂 SK 海力士砸钱拚 NAND flash,两年内产能增加了将近两倍。今年该公司再次大举投资,可能会继续扩大 NAND flash 规模。

韩联社、BusinessKorea 报导,SK 海力士 14 日宣布,今年资本开支为 6 兆韩圜(49 亿美元),与去年相近,要藉此击退对手,并回应政府对企业扩大投资的呼声。

SK 海力士砸钱有成,Gartner 数据显示,2015 年第四季 SK 海力士 NAND flash 出货量为 2.5 亿组。今年上半,单季出货量可望增至 3 亿组。不只如此,以往 SK 海力士的 NAND flash 製程不如 DRAM 先进,现在也迎头赶上。去年 Q1 NAND flash 有 81% 採用 16 奈米製程,去年 Q4 增至 96%。

该公司计划生产更多高阶的 NAND flash 商品,如三阶储存单元(Triple-Level Cell,简称 TLC)的 NAND flash。当前 SK 海力士每季产量约为 1 亿组,远不如三星电子的 4.5 亿组。

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