抢救 HBM 良率，传三星吞下自尊、跟进对手先用技术

市场传出，三星电子（Samsung Electronics）打算改採 SK 海力士（SK Hynix）使用的晶片製造技术，在日益白热化的高频宽记忆体（HBM）竞赛中追赶竞争对手。

路透社12日独家报导，生成式AI大受欢迎，带动HBM需求跳增。然而，就在SK海力士、美光（Micron Technology）先后与辉达（Nvidia Corp.）敲定HBM供应协议之际，三星却意外缺席。据悉，三星的HBM3至今仍未通过辉达的品质测试。

分析师及业界人士相信，三星坚持使用非导电性胶膜（Non-Conductive. Film，NCF）技术，因而面临一些生产问题，是进度落后的原因之一。相较之下，SK海力士却率先改用批量回流模制底部填充（mass reflow molded underfill，MR-MUF）技术，解决NCF弱点，也成为第一家供应HBM3晶片给辉达的厂商。

不过，消息透露，三星最近已下单採购专为MUF设计的晶片製造设备。一名人士说，"三星必须设法提升HBM良率……改採MUF对三星来说有点吞下自尊的意味，因为这代表该公司终究还是得跟进SK海力士。"

数名分析人士直指，三星HBM3的良率目前只有10~20%，SK海力士的HBM3良率却已来到60~70%。据消息，三星也在跟数家材料商接洽、希望採购MUF材料，当中包括日商长濑产业株式会社（Nagase）。消息透露，三星打算在最新款HBM晶片同时使用NCF、MUF两种技术。