2024 全年 HBM 供给位元年增高达 260%，产能占 DRAM 产业 14%

HBM 售价高昂、获利高，造就广大资本支出投资。TrendForce 资深研究副总吴雅婷预估，截至 2024 年底，DRAM 产业规划生产 HBM TSV 产能约 250K/m，占总 DRAM 产能约 1,800K/m 的 14%，供给位元年成长约 260%。2023 年 HBM 产值占比之于 DRAM 整体产业约 8.4%，至今年底扩大至 20.1%。

吴雅婷表示，以HBM及DDR5生产差异看，Die Size大致较DDR5同製程与同容量（如24Gb比24Gb）尺寸大35%~45%；良率（含TSV封装良率）比DDR5低约20%~30%；生产週期（含TSV）较DDR5多一个半至两个月不等。

由于HBM生产週期较DDR5更长，至投片到产出与封装完成需两季以上，急欲取得充足供货的买家需要更早锁定订单量，大部分2024年度订单都递交供应商，除非有验证无法通过，否则目前看这些订单量均无法取消（non-cancellable）。

以HBM产能看，三星、SK海力士（SK hynix）至年底HBM产能规划最积极，三星HBM总产能至年底将达约130K（含TSV）；SK海力士约120K，但产能会依验证进度与客户订单持续变化。以现阶段主流产品HBM3产品市占率看，SK海力士的HBM3市场比重逾九成，三星随着后续数季AMD MI300逐季放量持续紧追。

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（首图来源：SK 海力士）