根据外媒报导,曝光机大厂艾司摩尔 (ASML) 交货了第三代标準型极紫外(EUV)曝光机,新设备型号为 Twinscan NXE:3800E,配备了 0.33 数值孔径透镜。该设备相较于之前型号为 Twinscan NXE:3600D 的标準型曝光机,性能有了进一步的提高,可以支援未来几年 3 奈米及 2 奈米製程的晶片製造。
报导指出,ASML 的 Twinscan NXE:3800E 第三代标準型 EUV 曝光机是代表了标準曝光技术在性能和精度方面的又一次进步。新型号的 EUV 曝光机可达到每小时处理 195 片晶圆的处理速度,相较先前 Twinscan NXE:3600D 的设备,其处理速度约每小时 160 片,大概提升了 22%,而且将来有可能提高到每小时处理 220 片的速度。此外,新设备还提供了小于 1.1 奈米的晶圆对準精度。
报导强调,即便用于 4/5 奈米製程晶片的生产,Twinscan NXE:3800E 第三代标準型 EUV 曝光机也能提升效率,让晶圆製造企业可以提高晶片生产的经济性,达到更为高效,且更具成本效益的晶片生产。更为重要的一点,是 Twinscan NXE:3800E 的精度提升会让 3 奈米以下的製成节点受惠,这使得製造 2 奈米製程晶片和后续需要双重曝光的製造技术有很好的效果。
然而,Twinscan NXE:3800E 第三代标準型 EUV 曝光机的价格并不便宜,因为机器的複杂性和功能是以庞大的成本为基础,使得每套 EUV 曝光设备的价格约在 1.8 亿美元上下。不过,比起新一代 High-NA EUV 曝光机的报价还是要低很多。先前有报导表示,业界首款採用 High-NA EUV 曝光技术的 TWINSCAN EXE:5200 曝光机报价达到了 3.8 亿美元。
报导进一步指出,虽然 ASML 已经推出 High-NA EUV 曝光机,但是接下来仍会继续发展一班标準型 EUV 曝光机。未来,新款的 Twinscan NXE:4000F EUV 曝光机预计在 2026 年问世,这凸显了 ASML 对 EUV 製造技术持续推进的承诺。
(首图来源:ASML)