美光宣布新 1-gamma 製程 DRAM 已试产

美商记忆体大厂美光在台北时间 21 日发表截至 2 月 29 日 2024 财年第二季财报，DRAM 和 NAND Flash 等产品未来与现状介绍。DRAM 方面，美光导入 EUV 製程下代 1-gamma 製程 DRAM 已试产，下代 NAND Flash 快闪记忆体开发也按计画进行，目标 2025 年达成量产目标。

美光表示，四分之三 DRAM 记忆体颗粒仍在 1-alpha / beta 节点生产，NAND Flash快闪记忆体则有 90% 产能位以 176  / 232 层製程生产。应用分析，传统伺服器记忆体，美光业界率先完成单层结构的 32GB 晶片 128GB 伺服器记忆体验证，预计半年内记忆体模组就可达数亿美元营收目标。达更高速率 MRDIMM 产品，美光宣布开始验证 256GB 单条。

LPCAMM2 模组产品，美光表示伺服器产业也採用，保持 LPDDR 高频宽、低功耗优势同时，也能拥有可插拔特性。伺服器 LPCAMM2 模组容量可达 128GB。

消费性存储产品方面，美光表示消费性固态硬碟产品 QLC 颗粒出货量创新高，占整体出货量三分之二，巩固消费性 QLC 固态硬碟领导者地位。美光 2022 年初就推出 OEM / SI 的 2400 系列 PCIe Gen4 QLC 固态硬碟，消费级品牌也于同年 9 月推出 P3（Plus）固态硬碟，部分採 QLC 记忆体。

(首图来源：科技新报摄)