爆料：三星 3 奈米良率翻 3 倍，PPA 有望赶上台积电 N3P

市场传出，三星电子（Samsung Electronics Co.）的 3 奈米良率已大幅拉高，整体表现有机会追上台积电。

知名爆料人Revegnus 22日透过社交平台X指出，三星的3奈米製程良率一开始虽只有10~20%，但最近已拉升至三倍以上。

[Exclusive] Samsung’s 3nm Yield-related News

Currently, Samsung’s 3nm yield, which initially hovered around 10-20%, has recently improved by over threefold.

Of course, this figure remains lower compared to TSMC, which still utilizes FinFET technology.

However, Samsung has high…

— Revegnus (@Tech_Reve) March 22, 2024

虽然良率依旧低于使用现有"鳍式场效"（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）製程的台积电，但三星对第二代3奈米製程期望甚高，据传其效能、功耗及面积（Performance、Power、Area，简称PPA）的前景看好（有谣言暗示可以赶上台积电的N3P）。

Revegnus表示，消息人士透露，三星3奈米製程的能源效率（power efficiency）、逻辑区域（logic area）都比4奈米FinFET改善20~30%。

值得注意的是，韩国媒体TheElec报导，三星共同执行长庆桂显（Kyung Kye-hyun）3月20日在年度股东大会预测，今年的半导体相关营收有望重返2022年衰退前的水位。

庆桂显指出，记忆体事业已于1月转亏为盈、今年将恢复元气，除了高频宽记忆体（HBM）外，公司也在针对开放性高速互连通讯协议CXL（Compute Express Link）、记忆体处理器（Processor In Memory，PIM）跟客户接洽，结果很快就能出炉。

三星晶圆代工事业总裁崔时荣（Siyoung Choi）在同一场合表示，虽然英特尔（Intel Corp.）开始谈论1.4奈米製程，但三星及台积电也都有相关製程规划。他说，客户需要的是能稳定供应、产品具竞争力的晶圆代工商，三星4奈米製程的良率已成熟。

崔时荣并表示，第二代3奈米製程预计今年下半投产，2奈米製程的投产时间则是明年。