传斥资 40 亿美元美国建先进封装厂，SK 海力士：尚未决定

《华尔街日报》报导，韩国记忆体大厂 SK 海力士欲投资约 40 亿美元 (约新台币 1,263 亿元) 在美国印第安那州西拉斐特盖先进晶片封装厂，并 2028 年投产。SK 海力士最新声明，正在审查美国先进晶片封装计画，但尚未决定。

知情人士告诉《华尔街日报》，SK 海力士董事会很快就会批准，推动美国政府恢复半导体製造大国领先地位的雄心，晶片封装厂完成后，可创造约 800~1,000 个职缺。

公开资料显示，SK 海力士封装厂毗邻普渡大学，普渡大学是美国最大半导体和微电子工程计画所在地。SK 海力士还考虑过亚利桑那州，但亚利桑那州已有台积电和英特尔厂，且从普渡大学就可获半导体工程师人才的优势，SK 海力士最终选择印第安那州。

先进封装是拜登政府晶片法 (U.S. Chips Act) 其中一环，机构 SemiAnalysis 说法，SK 海力士工厂有望成为全美第一座 HBM 大规模封装厂。SemiAnalysis 最新预测，SK 海力士 HBM 位元市占约 73%，三星 (Samsung Electronics) 居次约 22%，美光 (Micron) 第三约 5%。

(首图来源：shutterstock)