新标準型 EUV 採部分High-NA EUV 技术，提升曝光效率逾 20%

根据荷兰媒体 Bits&Chips 的报导，曝光机大厂 ASML 官方已经确认，其新一代标準型 0.33 NA EUV 曝光机-NXE:3800E 其中导入了部分 High-NA EUV 曝光机的技术，使得工作执行效率得以提升。

先前 ASML 表示，新一代标準型 EUV 曝光机 NXE:3800E 已经正式出货，其工作执行效率可达到每小时 195 片晶圆的数量，相较以往机型每小时 160 片的工作效率，提升近 22%。

由于下一代 High-NA 高数值孔径 EUV 採用了更宽的光锥，这代表了其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽，会导致影响晶圆曝光工作时的光损失。因此，ASML 提高了光学系统的放大倍率，进一步将光线入射角调整回合适的大小。

不过，在光罩尺寸不变的情况下，增加光学系统放大倍率，本身也会因为曝光场的减少影响晶圆工作量。所以， ASML 仅在一个方向上将放大倍数从 4 倍提升至 8 倍，这使得曝光场仅用减小一半。

而为了进一步降低曝光时间，提升工作效率，有必要提升曝光机载台的运动速率。ASML 工程师就此开发了同时相容现有 0.33NA 数值孔径系统的新款快速载台运动系统。其对于 NXE:3800E 而言，其光学元件相同之前的 3600D 机型，仅是配备了更高效的 EUV 光源。因此，其工作量提升主要来自每次曝光之间的晶圆移动加速。与 NXE:3600D 相比，NXE:3800E 的载台移动速度提升至 2 倍，曝光步骤总时间也大约减少了一半。

而透过更快的运行速度，也带来了能效的提升。ASML 的发言人表示，NXE:3800E 整体节省了约 20%~25% 的能源。

(首图来源：ASML)