预计达上千亿美元市场规模，三星 2025 年将率先进 3D DRAM

根据外媒 Semiconductor Engineering 报导，三星电子在产业会议 Memcon 2024 上表示，计画于 2025 年后在率先进入 3D DRAM 记忆体时代。

报导指出，DRAM 记忆体产业将于 2030 年前将製程技术压缩至 10 奈米以下的等级。而在如此精细的製程技术下，现有设计方案难以进一步扩展。因此，厂商们正在寻求包括 3D DRAM 在内的多种创新型记忆体设计，以提高记忆体本身的性能。

三星在 Memcon 2024 的幻灯片上展示了两项 3D DRAM 记忆体新技术，包括垂直通道电晶体 （Vertical Channel Transistor） 和堆叠 DRAM （Stacked DRAM）。其相较于传统的电晶体结构，垂直通道电晶体将通道方向从水準变为垂直，可大幅减少元件的面积佔用，但提升了对刻蚀技术精度的要求。

另外，相较现有 2D DRAM 结构，堆叠 DRAM 可充分利用 Z 方向的空间，在较小面积中容纳更多存储单元，预计单晶片容纳提升至 100G 以上。目前，就 3D DRAM 的市场发展来说，预计有望于 2028 年达到 1,000 亿美元的市场规模。为了与其他主要记忆体製造商竞争，三星也已于 2024 年初，在美国硅谷建置了一家新的 3D DRAM 研发实验室，以进行先进记忆体技术的发展工作。

(首图来源：三星)