三星传成立 HBM 新团队，盼提升 AI 晶片良率

三星电子（Samsung Electronics Co.）最近在记忆体部门成立高频宽记忆体（HBM）团队，希望能在开发第六代 AI 记忆体 HBM4 及 AI 加速器 Mach-1 之际提升良率。

《韩国经济日报》3月29日引述业界消息报导，三星的HBM小组主要负责DRAM、NAND型快闪记忆体的研发与销售。三星执行副总裁兼DRAM产品与科技长HwangSang-joon将负责带领新团队。这是三星1月启动HBM任务团队以来，第二个聚焦HBM的小组。

三星正在加大力道，盼能超越在先进HBM领域拔得头筹的SK海力士（SK Hynix Inc.）。三星2019年因错误判定市场不会显着成长，解散了当时的HBM小组。

为了争夺AI晶片市场的领先地位，三星将追求"双轨"策略，同时开发两种尖端记忆体晶片：HBM和Mach-1。

三星计划今年下半量产HBM3E、2025年投产下一代HBM4。HBM3E是表现最佳的AI用DRAM，也是第五代DRAM记忆体，之前几个世代为HBM、HBM2、HBM2E及HMB3。

三星也準备研发次世代用于AI推论的加速"Mach-2"。Kyung 3月29日指出，三星必须加快研发Mach-2，因为客户对此展现浓厚兴趣。