林本坚：半导体技术已经进化，无法由单一国家垄断

国立清华大学半导体研究学院院长暨台积电前副总裁林本坚，今（2 日）在日本东京进行专题演讲时提到，浸润式微影和极紫外光微影技术，是量产个位数奈米半导体的关键。

林本坚表示，当製程从 5 微米到 5 奈米，走了 21 个技术世代，不仅把积体电路的週距缩小到千分之一以下，也把线路面积缩小到百万分之一。在微影製程微缩的过程当中，搭配使用的曝光光源波长也越来越短，从汞灯光源（436 奈米）一路缩小到极紫外光 EUV（13.5奈米）。

"浸润式微影技术则是让製程可以继续微缩的关键之一。"林本坚表示，在 2002年的演讲中宣布透过以水为介质的 193 奈米浸润式微影技术。193 奈米除以超纯水的折射率 1.44，产生 134 奈米波长的光，可提高解析度，突破157奈米乾式微影限制，并且没有氟化钙质和量的问题，不需要把光经过的空间充满氮气，也不需要研发 157 奈米可用的光罩保护膜，并解决光阻吸收率与抗蚀刻率的问题。

因为浸润式微影技术突破，让半导体製程一路从 65 奈米微缩到 45 奈米，并且把摩尔定律延伸了 6 个世代（12年），从 45 奈米、28 奈米、20 奈米、16 奈米、10奈米，延伸至 7 奈米世代。

林本坚表示，极紫外光微影暨浸润式微影之后把量产延伸到 5 奈米、3 奈米及 2 奈米等世代，且在继续延伸之中。它的重点在把光的波长缩短到 13.5 奈米，以提高解析度。因波长剧烈地缩短所引出的各种困难已得到适度的解决，却仍有许多可研发改进的机会。

林本坚在演说中也点出，半导体科技已经进化到不是任何国家可以全部垄断，因为半导体设备包括设计、光源、材料、蚀刻、沉积、检测、量产等不同关键技术，分布在美国、荷兰、德国、日本、台湾、南韩等国家，所以是无法由单一国家进行半导体科技垄断。

（首图来源：影片截图）

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