英特尔拆分晶圆製造追赶台积电，一次看完营运策略与製程路线

晶片大厂英特尔公布了其晶圆代工业务部门的详细资讯，做为其拆分晶圆代工部门的重要关键。接下来，该部门做为一个独立单位，并单独进行各相关部门的统计与核算。

英特尔执行长 Patrick Gelsinger 表示，2024 年英特尔的晶片製造将利用人工智慧等先进技术，优化最新製程以提高利润和晶片品质。而其晶圆代工业务将改善晶片製造的关键步骤，例如晶片交付速度和测试时间，以提高利润，并赢回以前依赖第三方代工晶片製造的订单。

Patrick Gelsinger 指出，这一改变还促使英特尔将晶片製造拆分成一个名为"英特尔晶圆代工"的新独立单位，未来将独立送交美国证券交易委员会 (SEC) 的财务报表，使投资者能够单独查看"英特尔晶圆代工"的生产成本和整体产品开发成本。此动作也代表英特尔在製程技术落后于台积电后，重新夺回晶片製造业领导地位的决心。

Patrick Gelsinger 指出，目前台积电正在量产 3 奈米製程技术，而 intel 18A 是英特尔针对台积电下一代 2 奈米製程技术的竞争。目前英特尔已经收到了 5 家客户的订单承诺，并为这项特定的製造技术测试了十几颗晶片。他先前曾经表示，他已将公司未来的成功赌注在intel 18A 製程技术上，英特尔 2024 年也将生产第一颗 intel 18A 测试晶片。

Patrick Gelsinger 强调，新的业务模式将在晶圆代工投资和产品部门之间建立联繫管道，为英特尔产品设定一个公平的市场晶圆价格。英特尔晶圆代工的製程技术将藉由快速改朝换代，以重新夺回技术领导地位。尤其，在经历了晶片市场动荡和成本飙升的几年之后，英特尔高层对 2024 年晶圆代工业务的前景抱持乐观态度。相信到 2030 年之际，英特尔晶圆代工将成为全球第二大代工企业，并将受惠新一代极紫外 (EUV) 曝光技术所带来的获利提升。

Patrick Gelsinger 进一步指出，英特尔晶圆代工业务目前签订的合同总价值为 150 亿美元，新的成本架构和 EUV 技术的优势将帮助英特尔在 10 年内将产品部门的营业利益率维持在 40%。Patrick Gelsinger 也展示了英特尔代工未来的技术发展路线图。根据製程技术发展路线图，英特尔目标到 intel18A 製程技术量产之际，重新成为全球第一流的晶圆代工厂，并在 intel 14A 製程技术上确立领先地位。

英特尔指出，在功耗方面，目前已有的 Intel 7 製程技术虽落后于竞争对手，但英特尔计划于近期的 Intel 3 製程技术能与产业领先企业 （台积电） 相当，同时在未来的 intel 18A 製程技术上达到略好于竞争对手的水準，并于 intel 14A 製程技术上确认领先优势。

至于，在电晶体密度方面，目前的 intel 7 製程技术仍存在明显劣势。因此，英特尔希望藉由 intel 3 製程技术缩小差距，并在 intel 18A 製程技术上追上竞争者，而在 intel 14A 製程技术上可获得较小的密度优势。另外，intel 7 製程技术的晶圆成本明显高于业界水準，英特尔希望透过从 Intel 3 到 intel 14A 的演进，逐渐达到较低的晶圆成本。同时，未来数年将见证英特尔製程技术目标市场的扩展，到 intel 14A 製程技术之际，英特尔将可对外代工行动端的产品。

英特尔还强调，将逐步弥补在传统 IDM 模式下对外部 EDA 支持的欠缺，将设计便捷度提升到业界平均水準。此外，英特尔还将进一步扩大在 2.5D / 3D 等先进封装技术上的优势。而做为针对 AI 时代的系统代工厂，英特尔表示将通过多个层面的创新，使得摩尔定律继续前进。

除了晶片本身的製程技术发展之外，英特尔在周边支援的技术方面，也做了相关的规划。在连结介面方面，除了适用于 AI 的网卡和晶片 UCIe 互连之外，英特尔还将着重在硅光子技术，并丰富在 PCIe、SerDes 领域的技术储备。此外，英特尔目前可透过浸没式液冷冷却 1000W TDP 的晶片，目标到 2030 年实现对 2000W 晶片的冷却。

至于，先进记忆体发展上，英特尔目前可通过 EMIB 连接 8 个 HBM 堆叠，未来该能力将提升至 12 个堆叠，乃至更多的技术之外，同时英特尔也在研究更新的记忆体解决方案。最后，针对大家所关先的先进封装技术，在Foveros 3D Direct 先进封装上，英特尔目标到 2027 年左右实现 4 微米的连接间隙。英特尔此次还提出了更详细的玻璃基板应用时间，这项技术的运用有望于 2027 年展开。

(首图来源：intel)