SK 海力士拟斥资 39 亿美元，赴美建首座 HBM 先进封装厂

韩国记忆体大厂 SK 海力士宣布，斥资 38.7 亿美元在美国印第安那州兴建新先进记忆体封装厂，预期 2028 年下半年开始营运，有望生产HBM4 和 HBM4E 记忆体产品。

据报导，该厂将不加工带记忆体电路的晶圆，而是从其他地方（如韩国 SK 海力士晶圆厂）获得这些晶圆，再用已知良好堆叠裸晶组装 HBM。

部分用于 AI 和高性能运算的最先进处理器都採用 HBM 记忆体，如 AMD MI300 系列和 Nvidia H100/H200、B100/B200 系列产品。在美国设 HBM 封装厂将使高频宽记忆体的供应链更具弹性，但从 SK 海力士声明看，该公司将继续在韩国生产 HBM 记忆体设备。

该工厂预期成本将大幅超越英特尔、台积电封装厂成本，加上HBM4 和 HBM4E 记忆体堆叠将採用 2048 位介面，比现有 HBM3、HBM3E 複杂，因此需要更複杂的封装设备。也因此，预期 SK 海力士印第安那州厂投产后，将成为世界上最先进的半导体封装工厂之一。

SK 海力士执行长 Kwak Noh-Jung 指出，很高兴能成为业内首间在美国为 AI 产品建立先进封装设施的企业，期盼新工厂能推进公司 AI 记忆体晶片目标，服务客户的需求。

该厂将位于印第安那州的西拉法叶（West Lafayette），SK 海力士表示，之所以选择此处，是因为印第安那州拥有强大工业基础设施，包括以普渡大学和常春藤技术社区学院为首的研发生态系统、半导体专家，及州政府和地方政府的大力支援。

此外，SK 海力士还与普渡大学签署研发专案，并与常春藤技术社区学院（Ivy Tech Community College ）合作，开设培训课程和多学科学位课程，培养高科技领域的熟练劳动力。

SK hynix confirms it will bring next-gen HBM manufacturing to the US — $3.87 billion memory fab to be built in Indiana

（首图来源：shutterstock）

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