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专为高效能 AI（人工智慧）处理器与伺服器打造的 3D 堆叠 DRAM，传三星计划增产 30 倍。 3D DRAM 採用硅穿孔（Through Silicon Via）技术，可将 DRAM 晶片垂直堆叠

三星电子製程领先，率先量产 18 奈米 DRAM，把同业抛在脑后。竞争对手美光（Micron）和 SK 海力士（SK Hynix）不甘示弱，纷纷砸钱要追上三星。 Nikkei Asian R

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