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三星新 V-NAND 记忆体,容量 1Tb

三星电子 NAND Flash 技术再升级,9 日宣布研发出容量达 1 Tb(terabit)的 3D NAND 晶片,预计明年问世。 Pulse、ZDNet、韩联社报导,三星研发 1Tb 的 V-NAND 晶片(
挖掘比特币热潮将过,巴克莱银行提醒投资者减码 AMD 股票

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高通携手工研院与台厂,合作研发 5G 小型基地台

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记忆体价格持续高档,威刚 2017 年上半年赚超过半个股本

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台积电 7 月营收较 6 月修正 14.9%,前 7 个月年累计成长 3.5%

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东芝营益飙增 5 倍,创同期历史新高

全球第 2 大 NAND 型快闪记忆体(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba Corp)10 日公布上季(2017 年 4-6 月)财报:因使用于智慧型手机等用途的记忆体销售大增,价