韩媒传出,三星电子(Samsung Electronics Co.)正在积极压低高频宽记忆体「HBM3E」的生产成本,以争取辉达(Nvidia Corp.)下单。
Tom’s Hardware、Wccftech 7月31日引述ZDNet Korea报导,三星高层最近在第二季财报电话会议上表示,HBM3E的供需状况即将出现变化,主因供给增加的速度超越需求成长率,「我们预测这会对市场价格产生冲击」。
三星并指出,「考量下半年一般型DRAM价格的上涨趋势,预期HBM3E与一般型DRAM之间的利润差距会快速缩小。」
三星的HBM事业近来有些进展,尤其是在获得超微(AMD)採用之后,但该公司至今仍未打入辉达供应链,也还无法跟SK海力士(SK Hynix)竞争。
不过,由于三星拥有业界最大的HBM生产线之一,预测HBM定价可能会朝有利三星的方向倾斜,该公司或许会推出成本较低的HBM3E。这意味着,若不是竞争对手跟进降价,就是三星能藉此争取到更大的市占率。
(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源:shutterstock)
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