格芯推出 12 奈米 ARM 架构 3D 晶片,称成熟度优于台积电 7 奈米

晶圆代工大厂格芯(GlobalFoundries)8 日宣布,开发出基于 ARM 架构的 3D 高密度测试晶片,将实现更高水準的性能和功效。由于当前晶片封装一直是晶片製造
日本出口管制影响有限?传三星已从比利时採购半导体材料

日本政府自 7 月 4 日起加强对南韩的出口管制,对象为光阻剂、氟化氢和氟化聚醯亚胺等 3 项半导体製造上所不可或缺的化学材料,也让南韩半导体大厂三
不仅代工挑战台积电,三星也推 6,400 万像素影像感测器挑战 Sony

就在当前 DRAM 价格处于低档,冲击到南韩三星的营运状况时,三星不断加强其他半导体业务,来填补记忆体低价所造成的营收缺口。其中,除了大规模投资
SK 海力士 2030 年推 800+ 层堆叠 NAND Flash,届时 SSD 可达 200TB

目前,两大韩系 NAND Flash 厂商──三星及 SK 海力士在之前就已经公布了新 NAND Flash 产品的发展规划。其中,三星宣布推出 136 层堆叠的第 6 代 V-NAND Flash 之
台积电 7 月营收创 2019 年单月次高,预期第 3 季营运展望乐观

晶圆代工龙头台积电 12 日公布 7 月份营收,金额来到新台币 847.58 亿元,较 6 月的 2019 年高点 858.68 亿元,减少 1.3%,较 2018 年同期则 743.71 亿元,增加 14
拓展产能所需,日月光斥资 23.26 亿元购买厂办大楼

封测大厂日月光投控 12 日召开重大讯息说明会表示,为了因应未来扩充产能需求,子公司日月光半导体特别斥资新台币 23.26 亿元,透过关係人宏璟建设购
日韩贸易战推现货记忆体反弹,合约市场仍未撼动

6 月东芝停电事件,加上 7 月开始日韩贸易战延烧,推动了已跌到亏损流血的 NAND Flash 现货价率先反弹,结束了 2 年多来的空头走势,此波记忆体价格由
半导体系统化设计趋势确立,Mentor EDA Tool 打造科幻成真

随着摩尔定律製程微缩的物理极限将至,未来晶片的系统设计与异质整合成为确定趋势,近 20 年以来 IC 设计的既有思维,已然出现革命性的改变。其中,